特許
J-GLOBAL ID：200903082984989506
積層チップインダクタとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
窪田 法明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-309528
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148337
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 インダクタンス値(L値)が更に大きく、しかも高温多湿の環境下におけるL値の変化率の更に小さな積層チップインダクタとその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 積層連結された導体パターンからなるコイルがフェライト素体の内部に形成されている積層チップインダクタにおいて、3個以上のフェライト結晶粒子で囲まれた部分に余剰金属を析出させた。余剰金属は前記フェライト素体内に析出した全金属の20wt%以上が好ましい。この積層チップインダクタはフェライトと導体パターンとを順次積層して、フェライト素体の内部に積層連結された導体パターンからなるコイルが形成された積層体を形成し、該積層体を焼成し、該積層体を600〜900°Cで0.5〜2時間保持し、冷却後、外部端子を各々形成することにより得ることができる。
請求項（抜粋）：
積層連結された導体パターンからなるコイルがフェライト素体の内部に形成されている積層チップインダクタにおいて、3個以上のフェライト結晶粒子で囲まれた部分に余剰金属が析出していることを特徴とする積層チップインダクタ。
IPC (4件)：
H01F 17/00
, H01F 1/34
, H01F 41/04
, H01B 1/16
