特許

J-GLOBAL ID：200903083013413892

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-303527
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121760
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 高性能な電気光学装置や半導体回路、さらにはそれらを搭載した電子機器を低価格で提供する。【解決手段】 高温アニール処理を経て形成される結晶性半導体薄膜を安価で耐熱性の高い結晶化ガラス基板上に形成する。その際、結晶化ガラスの少なくとも表面及び裏面を絶縁性珪素膜で保護し、ガラス成分の流出を防止する。この様な構成によって高性能な半導体装置を低価格で提供することができる。

請求項（抜粋）：

歪点が750°C以上であるガラス基板と、前記ガラス基板の少なくとも表面及び裏面に対して形成された絶縁性珪素膜と、前記絶縁性珪素膜上に形成された結晶性半導体薄膜をチャネル形成領域とするTFTと、を構成に含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-152879   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所