半導体装置およびその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-152879
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335902
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】ゲイト絶縁膜中に可動イオンが侵入しない構成とする。【構成】薄膜珪素半導体を用いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置において、活性層105、106を覆うゲイト絶縁膜107をSiOx Ny で示される薄膜で構成する。また、ゲイト絶縁膜107を構成するSiOx Ny で示される薄膜中において、Nの組成比率をゲイト電極108、109の界面で大きくすることにより、ゲイト電極を構成する材料がゲイト絶縁膜107に拡散することを防ぐことができる。また、Nの組成比率を活性層105、106の界面で大きくすることにより、活性層中から水素イオン等がゲイト絶縁膜107に拡散することを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲイト型電界効果半導体装置であって、ゲイト絶縁膜が、SiOx Ny で示される材料で構成されており、Nの膜厚方向に対する分布が変化していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (11件)

傾斜機能材料薄膜及び薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-347180 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-139929
特開平4-304677

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