特許
J-GLOBAL ID:200903083021450322
異方性エッチング方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-015368
公開番号(公開出願番号):特開平11-260798
出願日: 1999年01月25日
公開日(公表日): 1999年09月24日
要約:
【要約】【課題】 基板上の窒化物層を異方性エッチングする方法を提供する。【解決手段】 本発明のエッチング・プロセスは、水素リッチのフルオロハイドロカーボン,オキシダント,カーボン・ソースを含むエッチャント・ガスを用いる。水素リッチのフルオロハイドロカーボンは、好ましくはCH3 またはCH2F2 であり、カーボン・ソースは、好ましくはCO2 またはCOであり、オキシダントは好ましくはO2 である。フルオロハイドロカーボンは、好ましくは約7〜35体積%でガス中に存在し、オキシダントは、好ましくは約1〜35体積%でガス中に存在し、カーボン・ソースは、好ましくは約30〜92体積%でガス中に存在する。
請求項(抜粋):
基板上の窒化物層を異方性エッチングする方法であって、水素リッチのフルオロハイドロカーボン,オキシダント,およびカーボン・ソースを含むエッチャント・ガスでエッチングすることを特徴とする異方性エッチング方法。
引用特許:
審査官引用 (3件)
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窒化物エッチングプロセス
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-011548
出願人:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド, インテル・コーポレーション
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特開昭60-115232
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特開平3-259518
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