特許

J-GLOBAL ID：200903083040295915

シリカ系被膜形成用材料

発明者： 藤井 恭 ,  渋谷 達彦 ,  佐藤 功
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-412380
公開番号（公開出願番号）：特開2005-171067
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 シリカ系被膜におけるフッ化水素酸によるエッチングレートを低減させることができるシリカ系被膜形成用材料を提供する。【解決手段】 シリカ系被膜を形成し得る被膜形成成分を含む固形分と、溶媒とを含有してなり、ガスクロマトグラフィ測定において決定される水分含有量が0.1〜50質量%であることを特徴とするシリカ系被膜形成用材料。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

シリカ系被膜を形成し得る被膜形成成分を含む固形分と、溶媒とを含有してなり、ガスクロマトグラフィ測定において決定される水分含有量が0.1〜50質量%であることを特徴とするシリカ系被膜形成用材料。

IPC (5件)：

C09D183/04 ,  C09D5/25 ,  C09D183/02 ,  C09D183/05 ,  H01L21/316

FI (5件)：

C09D183/04 ,  C09D5/25 ,  C09D183/02 ,  C09D183/05 ,  H01L21/316 G

Fターム (10件)：

4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038DL051 ,  4J038KA06 ,  4J038PB09 ,  4J038PC03 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BC02 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特公平8-3074号公報
  
• 特許第2739902号公報
  
• 特許第3228714号公報
  
• SiO2被膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-120685   出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平4-247427
  
• 特開平4-247427
  
• 絶縁被膜形成用塗布液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-010800   出願人：住友化学工業株式会社
• 特開平4-247427