III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-152991
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332763
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】キャップ層(揮発性保護膜)成膜時や井戸層昇温過程における、井戸層とキャップ層との間の半導体組成の拡散を防止することにより、結晶性が十分良好な井戸層を形成し、発光効率が十分に高い半導体発光素子を得る。【解決手段】量子井戸構造を有する III族窒化物系化合物半導体から成る半導体発光素子の製造工程において、井戸層(例:InGaN層)の形成後に、井戸層上に井戸層の形成温度付近で、井戸層と概ね同組成の III族窒化物系化合物半導体から成るキャップ層を井戸層の結晶成長速度uよりも速い成長速度vで形成し、その後、井戸層を次に形成する III族窒化物系化合物半導体層の結晶成長温度にまで昇温する過程で、キャップ層をこの昇温処理に伴う熱分解により除去する。キャップ層の積層時や昇温時に、井戸層のInはキャップ層には拡散しない。その後、井戸層上に次に形成する III族窒化物系化合物半導体層を積層する。

請求項（抜粋）：

量子井戸構造を有する III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法であって、井戸層の形成後に、前記井戸層上に、前記井戸層の形成温度付近で、前記井戸層と概ね同組成の III族窒化物系化合物半導体から成るキャップ層を前記井戸層の結晶成長速度uよりも速い成長速度v(>u)で形成し、その後、前記井戸層を次に形成する III族窒化物系化合物半導体層の結晶成長温度にまで昇温する過程において、前記キャップ層の一部又は全部をこの昇温処理に伴う熱分解により除去し、その後、前記 III族窒化物系化合物半導体層を形成することを特徴とする III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 33/00 , C30B 29/38 , C30B 29/40 502 , H01L 21/205 , H01S 5/343

FI (5件)：

H01L 33/00 C , C30B 29/38 D , C30B 29/40 502 H , H01L 21/205 , H01S 5/343

Fターム (26件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077DB08 , 4G077EF01 , 4G077HA02 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045BB05 , 5F045CA09 , 5F045DA55 , 5F045EK27 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB10 , 5F073DA05 , 5F073DA25

引用特許：

審査官引用 (1件)

3族窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-044551 出願人：豊田合成株式会社

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