特許
J-GLOBAL ID：200903033694136002
3族窒化物半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-044551
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068159
出願日： 1998年02月09日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】量子井戸構造を有する3族窒化物半導体におけるバリア層形成時の井戸層の昇華を防止し,膜厚を制御し,結晶性を良好とし,発光効率を高めること。【解決手段】基板温度900°CにてN2又はH2を20liter/分,NH3を10liter/分,TMGを2.0×10-4モル/分で供給し,膜厚約35ÅのGaN から成るバリア層51を形成した。次に,基板温度を600°Cまで低下させ,N2又はH2,NH3の供給量を一定として,TMGを7.2 ×10-5モル/分,TMIを0.19×10-4モル/分で供給し,膜厚約35ÅのIn0.20Ga0.80Nから成る井戸層52を形成した。次に,基板温度を600°Cに保持し,N2又はH2を20liter /分,NH3を10liter/分,TMGを2.0×10-4モル/分で供給し, 膜厚約35ÅのGaNから成るキャップ層53を形成した((a)図)。次に,基板温度を600°Cから900°Cに昇温し,この昇温過程でキャップ層53が熱分解により消失する((b)図)。基板温度が900°Cになった時点で,井戸層52上に次のバリア層51を上記条件にて形成した((c)図)。
請求項（抜粋）：
3族窒化物半導体から成る井戸層とバリア層との積層構造を少なくとも1周期有する量子井戸構造を有した3族窒化物半導体の製造方法において、前記井戸層の形成後に、前記井戸層の形成温度付近で前記井戸層よりバンドギャップが広く、前記バリア層と同じ若しくは狭いバンドギャップを有するキャップ層を形成し、その後、前記バリア層の形成時の温度まで昇温する過程において熱分解により前記キャップ層を除去し、前記井戸層上に前記バリア層を形成することを特徴とする3族窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 3/18
