特許
J-GLOBAL ID：200903083067049789
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288638
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110835
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 安価で高精度に、かつ接続信頼性の高いバンプが形成された半導体装置を得ること。【解決手段】 本発明の半導体装置1は、半導体素子2の電極3上に無電解Niめっき層4と、その無電解Niめっき層4上に無電解Auめっき層5とからなる下地層が形成され、前記無電解Auめっき層5上に半田などのバンプBが形成された半導体装置において、前記無電解Niめっき層4が前記電極3に対してバリアメタルとして機能する膜厚で形成されており、前記無電解Auめっき層5が前記無電解Niめっき層4を十分に覆う保護層となり、かつ前記バンプBとの界面で脆い合Au層が形成されない膜厚で形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極上に無電解ニッケルめっき層と該無電解ニッケルめっき層上に無電解金めっき層とからなる下地層が形成され、前記無電解金めっき層上に半田などのバンプが形成された半導体装置において、前記無電解ニッケルめっき層の膜厚が前記電極に対してバリアメタルとして機能するように少なくとも3μm以上の厚さで形成されており、前記無電解金めっき層の膜厚が前記無電解ニッケルめっき層を十分に覆う保護層となり、かつ前記バンプとの界面で脆い合金層が形成されないように100Å〜200Åの厚さで形成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/92 602 H
, H01L 21/92 603 D
