特許
J-GLOBAL ID：200903007672526540

半導体装置の電極構造およびその製造方法

発明者：
河北 哲郎

河北 哲郎 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316748
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150141
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】金属間化合物のない良好なバンプを形成することができる半導体装置の電極構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の電極上に形成される突起電極の電極構造であって、電極4上に形成されたNiからなるNi層1と、このNi層1上に形成されSnを全く含まないかもしくはSn含有量が少ないはんだ層2と、このはんだ層2上に形成されたはんだ層3とを備えている。また製造方法は、無電解めっき法により半導体装置の電極上にNi層1を析出し、Ni層1に無電解めっき法により選択的にフラッシュAu膜を形成し、はんだ層2を半導体装置を浸漬させて形成し、同様にはんだ層3を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の電極上に形成される突起電極の電極構造であって、前記電極上に形成されたNiからなる第1の金属層と、この第1の金属層上に形成されSnを全く含まないかもしくはSn含有量が少ない第2の金属層と、この第2の金属層上に形成されたはんだからなる第3の金属層とを備えた半導体装置の電極構造。
FI (3件)：
H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 604 D
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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