特許

J-GLOBAL ID：200903083072281444

2次元又は3次元ナノ構造物の作製方法

発明者： 三石 和貴 ,  下条 雅幸 ,  古屋 一夫
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032840
公開番号（公開出願番号）：特開2004-244649
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】直径十数ナノメートル以下の2次元又は3次元のナノ構造物を作製し、しかも効率よく作製する。【解決手段】基板(1)を磁場中に配置し、原料ガス(3)を基板表面上に流しながら、収束させた電子線(4)を基板の所望の位置に向かって照射して、十数ナノメートル以下の大きさの2次元又は3次元のナノ構造物(5)を形成させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板を磁場中に配置し、原料ガスを基板表面上に流しながら、収束させた電子線を基板の所望の位置に向かって照射して、十数ナノメートル以下の大きさの2次元又は3次元のナノ構造物を形成させることを特徴とする2次元又は3次元ナノ構造物の作製方法。

IPC (3件)：

C23C16/48 ,  B82B3/00 ,  H01L21/285

FI (3件)：

C23C16/48 ,  B82B3/00 ,  H01L21/285 C

Fターム (14件)：

4K030AA12 ,  4K030BA20 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030FA12 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104DD45 ,  4M104DD48

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭64-053410