特許

J-GLOBAL ID：200903083078838238

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 愼吾
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (4件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也 ,  竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-135996
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313831
出願日： 2005年05月09日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：

【課題】 信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 複数の集積回路素子10が形成されてなる半導体基板2の第1の面24に、複数の集積回路素子10とオーバーラップしないように、溝26を形成する。半導体基板2の第1の面24に保持部材32を貼り付ける。ブレード30により、第1の面24とは反対の第2の面38からブレード30が溝26に貫通するが第1の面24に達しないように、かつ、保持部材32に触れないように、半導体基板2を切断する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

第1の面と、前記第1の面の反対側であって、複数の集積回路素子が形成されている第2の面と、を有する半導体基板を用意する工程と、 前記半導体基板の前記第1の面に、前記複数の集積回路とオーバーラップしないように溝を形成する工程と、 前記半導体基板の前記第1の面に保持部材を貼り付ける工程と、 ブレードにより、前記半導体基板の前記第2の面から前記ブレードが前記溝に貫通するが前記第1の面に達しないように、かつ、前記保持部材に触れないように、前記半導体基板を切断する工程と、 を含む半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (3件)：

H01L21/78 Q ,  H01L21/78 F ,  H01L21/78 S

引用特許：

出願人引用 (1件)

• レーザーダイシング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-268022   出願人：株式会社東京精密