特許
J-GLOBAL ID:200903083083450566

基板メッキ方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉谷 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-033204
公開番号(公開出願番号):特開2001-223184
出願日: 2000年02月10日
公開日(公表日): 2001年08月17日
要約:
【要約】【課題】 マスク部材に起因する残留メッキ液を除去して基板の汚染及び相互汚染並びに搬送系の汚染を防止することができる。【解決手段】 基板Wの処理面Wsのうち周辺部をカソードリング9の当接部9aでマスクした状態で、処理面Wsにメッキ液を供給してメッキを施すメッキ工程と、洗浄液Cを供給して基板Wの処理面Wsとカソードリング9を洗浄する第1の洗浄工程と、基板Wの処理面Wsからカソードリング9を離間させた状態で、洗浄液Cを供給して基板Wを洗浄する第2の洗浄工程とを実施する。第1の洗浄工程で大まかに洗浄して残留メッキ液を除去し、第2の洗浄工程でカソードリング9の下面および基板Wの全体を洗浄するので、残留メッキ液による基板の汚染が防止できる。
請求項(抜粋):
基板の処理面にメッキ処理を施すための基板メッキ方法であって、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で、処理面にメッキ液を供給してメッキを施すメッキ工程と、洗浄液を供給して基板の処理面とマスク部材を洗浄する第1の洗浄工程と、基板の処理面からマスク部材を離間させた状態で、洗浄液を供給して基板を洗浄する第2の洗浄工程と、を含むことを特徴とする基板メッキ方法。
IPC (3件):
H01L 21/288 ,  C25D 3/38 101 ,  C25D 7/12
FI (3件):
H01L 21/288 E ,  C25D 3/38 101 ,  C25D 7/12
Fターム (15件):
4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K024AA09 ,  4K024BA15 ,  4K024BB12 ,  4K024CB02 ,  4K024CB18 ,  4K024CB19 ,  4K024CB26 ,  4K024DA04 ,  4K024DB10 ,  4K024FA14 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH20
引用特許:
審査官引用 (2件)

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