特許
J-GLOBAL ID：200903083087770875

ZnO半導体層の形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子

発明者：
武田 勝利

武田 勝利 について

, 
磯村 雅夫

磯村 雅夫 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-058611
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006686
出願日： 2003年03月05日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】結晶性が良好なZnO半導体層を安価に形成でき、また、結晶性が良好なZnO半導体層を有する半導体素子を安価に製造できる方法を提供する。【解決手段】スパッタ法を用いて、基板1上に、1×10-10 S/cm以下の導電率を有するZnOバッファ層2、または、X線回折法による結晶面の回折ピークにおいて(002)及び(004)以外のピーク(例えば(103)または(112)のピーク)を有するZnOバッファ層2を形成し、ZnOバッファ層2上にZnO半導体層3を形成する。ZnOバッファ層2の形成時よりもスパッタガス中の酸素ガス流量が少ない条件でZnO半導体層3を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、1×10-9S/cm以下の導電率を有するZnOバッファ層を形成し、該ZnOバッファ層上にZnO半導体層を形成することを特徴とするZnO半導体層の形成方法。
IPC (5件)：
H01L21/363 ,  C23C14/34 ,  H01C7/10 ,  H01L29/786 ,  H01L33/00
FI (7件)：
H01L21/363 ,  C23C14/34 M ,  H01C7/10 ,  H01L33/00 D ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 626C
Fターム (56件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029EA04 ,  5E034CA08 ,  5E034CB08 ,  5E034CC02 ,  5E034DB15 ,  5E034DD09 ,  5E034DE07 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F041CA83 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL01 ,  5F103LL04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN05 ,  5F103RR05 ,  5F103RR08 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE03 ,  5F110EE43 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110HL03 ,  5F110HL22 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (1件)

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