特許
J-GLOBAL ID：200903083092368112
ネガ型化学増幅型レジスト組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-329785
公開番号（公開出願番号）：特開平10-171109
出願日： 1996年12月10日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 感度、解像度、耐熱性に優れ、かつレジストパターン上部の先細り現象を抑制することができ、パターンのプロファイル形状に優れたレジストパターンを与えるネガ型化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)Mwが2000以上のアルカリ可溶性ポリヒドロキシスチレン系樹脂、(B)酸架橋性物質、(C)一般式【化1】(R1、R2は非芳香族性基、R3は芳香族性基、R4は低級アルキル基又はハロゲン化低級アルキル基、Aは二価、三価の有機基、R5は炭化水素基、R6は不活性有機基、R7は芳香族性又は非芳香族性多環式炭化水素基、R8は二価の炭化水素基、R9は一価の炭化水素基、nは2又は3)で表わされる光酸発生剤及び(D)フェノール性水酸基4個以上を有する化合物を含有するネガ型化学増幅型レジスト組成物である。
請求項（抜粋）：
(A)重量平均分子量(Mw)が2000以上のアルカリ可溶性ポリヒドロキシスチレン系樹脂、(B)酸架橋性物質、(C)一般式【化1】(式中のR1及びR2は、それぞれ非芳香族性基である)【化2】(式中のR3は芳香族性基、R4は低級アルキル基又はハロゲン化低級アルキル基である)【化3】(式中のAは二価又は三価の有機基、R5はさらに置換されていてもよい炭化水素基、nは2又は3である)【化4】(式中のR6は不活性有機基、R7は芳香族性多環式炭化水素基、飽和若しくは不飽和の非芳香族性多環式炭化水素基又はそれらの置換誘導体の基である)及び【化5】(式中のR8は置換若しくは未置換の二価の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基又は芳香族性基、R9は置換若しくは未置換の一価の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基又は芳香族性基である)で表わされる光酸発生剤の中から選ばれた少なくとも1種及び(D)フェノール性水酸基4個以上を有する分子量2000未満の化合物を含有することを特徴とするネガ型化学増幅型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/004 503
, G03F 7/038 601
, H01L 21/027
G03F 7/004 503 A
, G03F 7/038 601
, H01L 21/30 502 R
