特許

J-GLOBAL ID：200903083111606674

プラズマ処理装置

発明者： 東浦 勉 ,  赤堀 孝 ,  川上 聡 ,  岩間 信浩
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-380168
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179044
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理の効率が高く、あるいは構成が簡単なプラズマ処理装置を提供することである。【解決手段】 チャンバ2内で対向する上部電極15a及び下部電極15bのうち、上部電極15aは接地される。下部電極15bは、ローパスフィルタ14を介して第1の高周波電源13に接続され、また、ハイパスフィルタ23を介して第2の高周波電源22に接続される。ウエハWは、高温静電チャックESCにより、下部電極15bの上部に固定される。高周波電源13及び22から第1及び第2の高周波電力が供給されることにより、下部電極15b付近にプラズマが発生し、このプラズマによりウエハWは処理される。

請求項（抜粋）：

複数の部材から構成され、内部で被処理体に所定の処理が施されるチャンバと、前記複数の部材の1つに設置され、接地される第1の電極と、前記複数の部材の1つに設置され、第1及び第2の高周波電力を供給される第2の電極と、を備え、前記第2の電極への第2の高周波電力の印加により前記第1及び第2の電極間に生成されるプラズマを前記チャンバ内の所定領域に閉じこめる、ことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/505

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 B ,  C23C 16/505

Fターム (24件)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045DP03 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-343684   出願人：株式会社フロンテック, アルプス電気株式会社, 大見忠弘
• 試料の表面処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-028882   出願人：株式会社日立製作所