特許

J-GLOBAL ID：200903090016477367

プラズマ処理装置

発明者： 仲野 陽 ,  金 聖哲 ,  福田 航一 ,  武田 安弘 ,  笠間 泰彦 ,  小野 昭一 ,  大見 忠弘
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック ,  アルプス電気株式会社 ,  大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343684
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162696
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 電力消費効率が高く、成膜速度が従来より速くかつ、より良質の膜の形成が可能なプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】 高周波電源1とプラズマ励起電極4との間に介在し、これら高周波電源1とプラズマ励起電極4との間のインピーダンスの整合を得る整合回路において、一つのチューニングコンデンサ24をなす二つの電極25a,25bのうちの一つの電極25bがプラズマ励起電極4とを兼用している

請求項（抜粋）：

高周波電源とプラズマ励起電極との間に介在し、これら高周波電源と該プラズマ励起電極との間のインピーダンスの整合を得る整合回路において、少なくとも一つのチューニングコンデンサをなす少なくとも二つの電極のうちの一つの電極が前記プラズマ励起電極であることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H05H 1/46 L ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-233730
  
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-354189   出願人：株式会社東芝
• 高周波プラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-008952   出願人：日本電子株式会社
• 形状創成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179474   出願人：森勇藏, 電気興業株式会社, 株式会社ニコン
• 電子デバイス製造装置及び電子デバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-305359   出願人：シャープ株式会社