特許

J-GLOBAL ID：200903083130648353

低誘電率絶縁膜の形成方法及びこの膜を用いた半導体装置

発明者： 片山 倫子 ,  福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  山口 城
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306781
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150036
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 高速デバイスを実現可能な、低誘電率で且つ平坦性、耐湿性、耐熱性を備えた絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 基板上に有機珪素化合物の薄膜を形成し、この薄膜を基板温度80〜250°Cでフッ素プラズマ処理する。

請求項（抜粋）：

基板上に有機珪素化合物の薄膜を形成し、次に基板温度80〜250°Cで当該薄膜をフッ素プラズマ処理することを特徴とする低誘電率絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 S

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-204832   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-100877
  

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-204832   出願人：富士通株式会社