特許
J-GLOBAL ID:200903083135907918

高周波用磁器組成物および高周波用磁器の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-338687
公開番号(公開出願番号):特開平10-182223
出願日: 1996年12月18日
公開日(公表日): 1998年07月07日
要約:
【要約】【課題】800〜1000°Cで焼成可能であり、30GHz以上の高周波領域で高比誘電率、低誘電正接を有する高周波用磁器を提供する。【構成】少なくともZn、MgおよびTiを含み、該金属の原子比による全体組成が(1-x)Zn・xMg・yTi(式中、0<x≦0.7 5、0.3≦y≦7.0)を満足する複合酸化物からなる主成分に対してB<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>を0.05〜20重量%、またはSiO<SB>2 </SB>とB<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>を含有するガラスを0.1〜30重量%添加した組成物を成形後、非酸化性雰囲気中800°C〜1000°Cで焼成し、イルメナイト型結晶相1またはスピネル型結晶相と、さらにはTiO<SB>2 </SB>結晶相と、非晶質粒界相2とからなるかかる磁器は、誘電率15〜80、30〜60GHzで誘電正接15×10<SP>-4</SP>以下の誘電体磁器を得る。
請求項(抜粋):
少なくともZn、MgおよびTiを含み、該金属の原子比による組成を(1-x)Zn・xMg・yTiと表した時、0<x≦0.75、0.3≦y≦7.0を満足する複合酸化物からなる主成分80〜99.95重量%と、B<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>0.05〜20重量%とからなることを特徴とする高周波用磁器組成物。
IPC (4件):
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 304 ,  H01B 3/12 325 ,  H01B 3/12 333
FI (4件):
C04B 35/46 C ,  H01B 3/12 304 ,  H01B 3/12 325 ,  H01B 3/12 333
引用特許:
出願人引用 (2件)

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