特許

J-GLOBAL ID：200903083145365498

受光素子

発明者： 柴田 直樹 ,  千代 敏明 ,  太田 光一
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065881
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261025
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【目的】 エネルギー変換効率の高いIII族窒化物系半導体受光素子を提供する。【構成】 n型III族窒化物系半導体層、受光層、p型III族窒化物系半導体層が積層された構成を有するIII族窒化物系半導体受光素子において、受光層にノンドープのIII族窒化物系半導体層を用いる。

請求項（抜粋）：

n型III族窒化物系半導体層と、ノンドープのIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)からなる受光層と、p型III族窒化物系半導体層と、が積層された構造を備えてなるIII族窒化物系半導体受光素子。

Fターム (19件)：

5F049MA02 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049PA04 ,  5F049PA07 ,  5F049PA11 ,  5F049PA14 ,  5F049QA02 ,  5F049QA06 ,  5F049QA16 ,  5F049QA18 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SE16 ,  5F049SS01 ,  5F049SZ16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-078294   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開平3-232279
  
• 半導体光素子とそれを用いた応用システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-023662   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平2-073672