特許
J-GLOBAL ID：200903083147356933

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
春名 貴雄

春名 貴雄 について

, 
並木 明生

並木 明生 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-050305
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218511
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】色むらを解消すると共に、その光取り出し効率を改善すること。【解決手段】発光層6aの側壁面は、透光性のエポキシ製の1次封止材8によって封止されている。この1次封止材8の上面は、発光ダイオード6の上面と略連続的に一連に繋がっている。透光性のエポキシ製の2次封止材9は、1次封止材8の硬化後に注入されたものであり、堆積層10は、その注入時に2次封止材9を構成するエポキシ剤の中に混入されていた蛍光体粒子が強制沈降されて非常に薄く高密度に堆積したもの(沈降堆積物)である。この堆積層10の膜厚は、発光ダイオード6の上面中央部及び1次封止材8の上面谷底部の最も厚い各部分で約10μmである。また、蛍光体粒子としては、直径約2μm〜8μmのCe:YAGを用いた。この蛍光体は、発光ダイオード6が出力する青色光を吸収して黄色光に変換して発光するものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
カップ状のケースの底に直接またはサブマウントを介して発光ダイオードが配置された半導体発光装置において、 前記ケースの内部空間に固定された前記発光ダイオードの発光層よりも下の該発光ダイオードの周囲側方領域を封止する透光性の1次封止材と、 前記1次封止材の上に更に充填された透光性の2次封止材と、 前記2次封止材に混入された蛍光体粒子または光拡散体粒子の沈降堆積物からなる一連の堆積層とを有し、 前記蛍光体粒子または前記光拡散体粒子は、前記発光ダイオードの上面及び前記1次封止材の上面に、1粒子層乃至5粒子層の薄さで一連に堆積していることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  H01L33/00 C
Fターム (13件)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA40 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA20 ,  5F041DA34 ,  5F041DA44 ,  5F041DA58 ,  5F041DA78 ,  5F041DB09
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • LED装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-015487   出願人：ローム株式会社
  • 発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-276184   出願人：豊田合成株式会社, 松下電器産業株式会社
  • 発光ダイオード及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-279109   出願人：岡谷電機産業株式会社

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