タンタル系材料の蒸着のための化学蒸着前駆体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 大賀眞司 , 大貫敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-500776
公開番号（公開出願番号）：特表2006-516031
出願日： 2004年01月06日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

タンタル含有材料、たとえば、タンタル、TaN、TaSiNなどの基板上への化学蒸着に好適なタンタル前駆体を開示する。該タンタル前駆体は置換シクロペンタジエニルタンタル化合物である。本発明の一態様では、かかる化合物はタンタル/シリコン源試薬を構成するためにシリル化される。本発明の前駆体は、半導体デバイス構造の銅メタライゼーションに関連して拡散バリアを形成するために半導体製造用途で有利に使用される。

請求項（抜粋）：

下記式

IPC (5件)：

C07F 9/00 , C23C 16/42 , C23C 16/34 , H01L 21/285 , H01L 21/28

FI (5件)：

C07F9/00 Z , C23C16/42 , C23C16/34 , H01L21/285 C , H01L21/28 301R

Fターム (21件)：

4H050AA01 , 4H050AA03 , 4H050AB78 , 4H050WB18 , 4H050WB21 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA18 , 4K030BA17 , 4K030BA38 , 4K030BA48 , 4K030LA15 , 4M104BB17 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104FF16 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104HH05

引用特許：

審査官引用 (1件)

基板上に窒化タンタルを蒸着(deposition)するためのタンタルアミド前駆物質
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-528576 出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルズ.インコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (9件)

全件表示

前のページに戻る