特許
J-GLOBAL ID:200903005958827110

基板上に窒化タンタルを蒸着(deposition)するためのタンタルアミド前駆物質

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-528576
公開番号(公開出願番号):特表2002-501075
出願日: 1999年01月21日
公開日(公表日): 2002年01月15日
要約:
【要約】化学蒸着法、補助化学蒸着法、イオン注入法、分子線エピタキシー法および急速熱処理法などの方法によって基板上に窒化タンタル材料を蒸着するためのタンタルアミド前駆物質および窒化タンタル珪素前駆物質を含むタンタルおよびチタン供給源試薬が記載されている。前駆物質は、マイクロエレクトロニクス素子構造体上に拡散バリア層を形成するために用いることができ、よって素子構造体において銅金属化および強誘電性薄膜の使用を可能にする。
請求項(抜粋):
(i)以下の式のつなぎ留められた(tethered)アミンタンタル錯体【化1】(式中、xは2または3であり、各R1〜R5は独立に、H、C1〜C4アルキル、アリール、C1〜C6パーフルオロアルキルおよびトリメチルシリルからなる群から選択される)(ii)以下の式のβ-ジイミン: TaGxQ5-x(式中、Gはβ-ジイミノ配位子であり、各Qは、H、C1〜C6アルキル、アリールおよびC1〜C6パーフルオロアルキルからなる群から選択され、xは1〜4の整数である)(iii)以下の式のタンタルジアミド錯体: Ta(N(R1)(CH2)xN(R2))y(NR3R4)5-2y(式中、xは1または2であり、yは1または2であり、各R1〜R4は独立に、H、C1〜C4アルキル、アリール、パーフルオロアルキルおよびトリメチルシリルからなる群から選択される)(iv)以下の式のタンタルアミド化合物:Ta(NRR’)5(式中、各RおよびR’は独立に、各NRR’基においてR≠R’という条件に従って、H、C1〜C4アルキル、フェニル、パーフルオロアルキルおよびトリメチルシリルからなる群から選択される)(v)以下の式のβ-ケトイミン【化2】(式中、各R1、R2、Ra、Rb、RcおよびRdは独立に、H、アリール、C1〜C6アルキルおよびC1〜C6パーフルオロアルキルから選択される)(vi)以下の式のタンタルシクロペンタジエニル化合物【化3】(式中、各Rは独立に、H、メチル、エチル、イソプロピル、t-ブチルおよびトリメチルシリルからなる群から選択される)(vii)以下の式の化合物:Ta(NR1R2)x(NR3R4)5-x/Ti(NR1R2)xNR3R4)4-x(式中、各R1、R2、R3およびR4は独立に、H、C1〜C8アルキル、アリール、C1〜C8パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択される)(viii)以下の式の化合物:Ta(NR1)NR2R3)3(式中、各R1、R2およびR3は独立に、H、C1〜C8アルキル、アリール、C1〜C8パーフルオロアルキル、あるいはシラン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシリル、トリアリールシランおよびアルキルシリルシランからなる群から選択される珪素含有基からなる群から選択される)(ix)以下の式の化合物:Ta(SiR1R2R3)x(NR4R5)5-x/Ti(SiR1R2R3)x(NR4R5)4-x(式中、R1〜5は独立に、H、Me、Et、tBu、Ph、iPr、CF3、SiH3、SiMe3、Si(CF3)3、Si(Et)3、Si(iPr)3、Si(tBu)3、Si(Ph)3およびSi(SiMe3)x(Me)3-xからなる群から選択される)および(x)以下の式の化合物:(Cpn)Ta(SiR1R2R3)x(NR4R5)4-x/(Cpn)2Ti(SiR1R2R3)(NR4R5)(式中、各R1〜5は独立に、H、Me、Et、tBu、Ph、iPr、CF3、SiH3、SiMe3、Si(CF3)3、Si(Et)3、Si(iPr)3、Si(tBu)3、Si(Ph)3、Si(SiMe3)x(Me)3-xからなる群から選択され、CpnはC5HxMe(5-x)(ここでx=0〜5)である)からなる群から選択される少なくとも1種のタンタルおよび/またはチタン化学種を含む供給源試薬組成物。
IPC (5件):
C07F 9/00 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/48 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34
FI (5件):
C07F 9/00 Z ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/48 Z ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34
Fターム (19件):
4H050AA01 ,  4H050AA05 ,  4H050AB90 ,  4H050BB11 ,  4H050WB13 ,  4H050WB15 ,  4H050WB18 ,  4H050WB21 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029BA58 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029GA03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030DA08
引用特許:
審査官引用 (5件)
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引用文献:
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