特許

J-GLOBAL ID：200903083159508046

歪多重量子井戸構造体およびそれを用いた半導体レーザ

発明者： 鬼頭 雅弘 ,  松井 康 ,  大塚 信之 ,  石野 正人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182575
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038206
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 井戸層数を多くしても発光特性が損なわれない歪多重量子井戸構造を提供する。【構成】 n型のInP基板101上に無歪で波長組成1.05μmのn型のInGaAsP導波路層102、14層の1%の圧縮歪が導入された波長組成1.5μmのInGaAsP井戸層103と無歪で波長組成1.05μmのInGaAsP障壁層104からなる歪多重量子井戸活性層105、無歪で波長組成1.05μmのp型のInGaAsP導波路層102106、p型のInPクラッド層107が積層されている。また障壁層104と障壁層104の基板101側に位置する歪井戸層103の間に層厚1nmのInP層108が挿入されている。これにより、井戸層数を14と非常に多くしても各井戸層の歪量は同一となり、良好な発光特性が得られる。

請求項（抜粋）：

2元系化合物半導体基板と、前記基板に形成された、複数の量子井戸層と前記化合物半導体基板よりもエネルギーバンドギャップの小さい障壁層からなる多重量子井戸構造であり、前記井戸層に圧縮歪もしくは引っ張り歪が導入されており、前記障壁層と前記障壁層の前記基板側に位置する前記井戸層の間に前記化合物半導体基板と同一材料の層が挿入されていることを特徴とする歪多重量子井戸構造体。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218933   出願人：株式会社東芝