特許
J-GLOBAL ID:200903083234932690
超伝導装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山口 巖
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-580417
公開番号(公開出願番号):特表2004-528712
出願日: 2002年03月19日
公開日(公表日): 2004年09月16日
要約:
ハイブリッド超伝導体を形成しながら機械的かつ電気的に相互に結合された金属超伝導体とセラミックス超伝導体を有する超伝導装置に関する。金属超伝導体の臨界磁場が低いと言う問題を、このような問題のないセラミックス超伝導体との併用により回避する。低磁場の際は金属超伝導体の機械的性質と電流容量を利用し、高磁場の際はセラミック超伝導体の高い臨界磁場を利用する。両超伝導体は、両端だけでなく、その途中の箇所でも相互に結合しておくのが望ましい。
請求項(抜粋):
一体にハイブリッド超伝導体を形成しながら機械的かつ電気的に相互に結合されている金属超伝導体(MSL)とセラミックス超伝導体(HTS)を有する超伝導装置。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許: