特許

J-GLOBAL ID：200903083237830960

表面粗さを減少させるための半導体ウエハの粗研磨法

発明者： ベパ・クリシュナ ,  マイケル・エス・ウィスニースキー ,  ロイス・イリヒ
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-119609
公開番号（公開出願番号）：特開平7-314324
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1995年12月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハの表面粗さを減少させるためのウエハの粗研磨方法を提供する。【構成】 ウエハの仕上研磨前に、ウエハの表面の粗さを減少させるために半導体ウエハを粗研磨する方法であって、研磨溶液を研磨物質に適用し;ウエハの低周波表面粗さを減少させるために、ウエハを研磨物質に相対的に動かしながら、研磨物質および研磨溶液をウエハの表面と接触させ;第2研磨溶液を研磨物質に適用し;低周波表面粗さをさらに減少させるために、ウエハを研磨物質に相対的に動かしながら、研磨物質および第2研磨溶液をウエハの表面と接触させる;工程から成り、粗研磨された後に光学干渉計を用いて1mm×1mmの走査で測定したときにウエハが1.0nm Ra以下の平均表面粗さを持つ、粗研磨方法。

請求項（抜粋）：

ウエハの仕上研磨前に、ウエハの表面の粗さを減少させるために半導体ウエハを粗研磨する方法であって、(a)研磨溶液を研磨物質に適用し;(b)ウエハの低周波表面粗さを減少させるために、ウエハを研磨物質に相対的に動かしながら、研磨物質および研磨溶液をウエハの表面と接触させ;(c)第2研磨溶液を研磨物質に適用し;(d)低周波表面粗さをさらに減少させるために、ウエハを研磨物質に相対的に動かしながら、研磨物質および第2研磨溶液をウエハの表面と接触させる;工程から成り、粗研磨された後に光学干渉計を用いて1mm×1mmの走査で測定したときにウエハが1.0nm Ra以下の平均表面粗さを持つ、粗研磨方法。

IPC (2件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-313224
  
• 特開平2-275629
  
• 特開平3-086468
  
• 特開昭62-199352
  
• CdTeウェハーの鏡面研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-078588   出願人：住友電気工業株式会社