特許

J-GLOBAL ID：200903083281363822

半導体装置

発明者： 鈴木 隆司 ,  石子 雅康 ,  中川 未浩 ,  斎藤 順 ,  西脇 剛
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-331994
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147362
出願日： 2006年12月08日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

【課題】 半導体装置のダイナミック特性を改善すること。【解決手段】 半導体装置10は、中心領域の半導体基板20の表面部分に形成されているアノード領域27と、終端領域の半導体基板20の表面部分の少なくとも一部に形成されているリサーフ層25と、リサーフ層25内の半導体基板20の表面部分の少なくとも一部に形成されている表面局所半導体領域26を備えている。リサーフ層25は、アノード領域27よりも深く形成されている。表面局所半導体領域26の不純物濃度は、リサーフ層25の不純物濃度よりも濃く形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

中心領域とその中心領域の周囲に形成されている終端領域に区画されている半導体基板を有する半導体装置であって、 中心領域の半導体基板の表面部分に形成されており、半導体基板の表面に形成されている表面電極に電気的に接続しているとともに第1導電型の不純物を含む表面半導体領域と、 終端領域の半導体基板の表面部分の少なくとも一部に形成されており、一端が前記表面半導体領域の周縁に接しているとともに第1導電型の不純物を含むリサーフ層と、 前記リサーフ層内の半導体基板の表面部分の少なくとも一部に形成されており、第1導電型の不純物を含む表面局所半導体領域を備えており、 前記リサーフ層は、前記表面半導体領域よりも深く形成されており、 前記リサーフ層の不純物濃度は、前記表面半導体領域の不純物濃度よりも薄く、 前記表面局所半導体領域の不純物濃度は、前記リサーフ層の不純物濃度よりも濃いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/861

FI (3件)：

H01L29/06 301D ,  H01L29/91 D ,  H01L29/06 301G

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高耐圧半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055030   出願人：株式会社東芝