窒化物半導体発光素子、発光素子、素子積層体、並びにそれらを用いた発光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：河宮治 , 石井久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-201917
公開番号（公開出願番号）：特開2005-328080
出願日： 2005年07月11日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】発光面全体に渡って均一な発光が得られる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板上に、n型層、活性層及びp型層が積層されてなる積層体を備え、その積層体はn側の電極をライン状に形成するためにn型層表面が露出された互いに平行なn電極形成領域を有し、そのn電極形成領域にそれぞれnライン電極が形成され、p型層のほぼ全面に透光性電極が形成されており、nライン電極は、互いに分離されて等間隔に配置されかつ各nライン電極の一端にはそれぞれnパッド電極が形成され、透光性電極上には、nライン電極と交互に配置されかつ隣接するnライン電極から等距離になるようにライン状の電流拡散導体が形成され、その電流拡散導体の一端にそれぞれpパッド電極が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光層を挟んで第1導電型層、第2導電型層が設けられた素子積層構造に、同一面側を電極形成面として、に第1導電型層、第2導電型層にそれぞれ第1電極、第2電極が設けられ、該電極形成面内において、第1導電型層が露出されて電極が設けられた電極形成領域と、発光層を挟んで第1導電型層、第2導電型層が設けられ領域であって、該第2導電型層が露出されて電極が形成された発光構造部と、を有し、前記第1導電型層には複数の第1電極が設けられ、該第1電極は、パッド部形成領域に互いに分離された第1電極のパッド部と、各パッド部から、該パッド部形成領域から分離され前記発光構造部を含む発光領域にまで延伸して形成される延伸電極部とを有することを特徴とする発光素子。

IPC (7件)：

H01L33/00 , C09K11/59 , C09K11/65 , C09K11/66 , C09K11/67 , C09K11/80 , H01L21/28

FI (8件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 N , C09K11/59 , C09K11/65 , C09K11/66 , C09K11/67 , C09K11/80 , H01L21/28 301B

Fターム (65件)：

4H001CA04 , 4H001XA04 , 4H001XA06 , 4H001XA07 , 4H001XA08 , 4H001XA12 , 4H001XA14 , 4H001XA20 , 4H001XA21 , 4H001XA22 , 4H001XA30 , 4H001XA31 , 4H001XA32 , 4H001XA38 , 4H001XA39 , 4H001XA40 , 4H001XA49 , 4H001XA50 , 4H001XA56 , 4H001XA57 , 4H001XA62 , 4H001XA63 , 4H001XA64 , 4H001XA65 , 4H001XA71 , 4H001XA72 , 4H001YA58 , 4H001YA59 , 4H001YA63 , 4M104AA04 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 5F041AA05 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CB15 , 5F041DA04 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA12 , 5F041DA19 , 5F041DA20 , 5F041DA36 , 5F041DA43 , 5F041DA58 , 5F041DA77 , 5F041DB09

引用特許：

出願人引用 (2件)

磁気記録装置用筐体構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-338966 出願人：松下電器産業株式会社
III族窒化物系化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-101990 出願人：豊田合成株式会社

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