特許
J-GLOBAL ID:200903083329747199

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菊谷 公男 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-199344
公開番号(公開出願番号):特開平11-032429
出願日: 1997年07月09日
公開日(公表日): 1999年02月02日
要約:
【要約】【課題】 出力端子に印加される過電圧から出力用のトランジスタを保護すると同時に、小型化が可能な半導体集積回路を提供する。【解決手段】 トランジスタTr1を制御するトランジスタ制御回路13の制御信号の立ち下がりエッジをクランプ制御回路15のエッジ検出回路16で検出し、ソレノイド1がターンオフされた直後の所定時間のみ、タイマー17でトランジスタTr2をオンにして、クランプ回路14を導通させ、インダクタンスL1での逆起電圧によるサージ電圧をトランジスタTr1で吸収する。通常動作時には、クランプ回路14は出力端子12から遮断されているので、クランプ電圧をIGNライン2の通常電圧まで、下げて設定できるため、サージ電圧によりトランジスタTr1で生じるパワー損失のピークパワー値を低くでき、トランジスタTr1での発熱を低減できるので、小型化が可能になる。
請求項(抜粋):
出力端子を介して外部に接続された負荷を駆動するトランジスタと、該トランジスタを制御するトランジスタ制御回路と、前記出力端子と前記トランジスタのゲート間に所定の電圧以上で導通する過電圧保護手段を設けたクランプ回路を有する半導体集積回路において、前記トランジスタ制御回路の制御信号の変化を検知し、検知結果に基づいて、クランプ回路の動作を制御するクランプ制御回路を有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (5件):
H02H 9/04 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H02H 7/20 ,  H03F 1/52
FI (4件):
H02H 9/04 A ,  H02H 7/20 D ,  H03F 1/52 B ,  H01L 27/04 H
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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