特許
J-GLOBAL ID：200903083335835164
半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに該製造方法に用いる金型
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013505
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216179
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 実装の際に生ずる応力を緩和して、応力による電気接続不良を防止する半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに該製造方法に用いる金型を提供する。【解決手段】 それぞれ外部接続用突起の構成材料となる複数の第1のハンダボール10をICチップ2上の所定位置に配置後、第1のハンダボール10の先端形状と適合する複数の座ぐり15を有する金型16を被せて各々の第1のハンダボール10の先端を被覆し、この状態でICチップ2と金型16との間の間隙17に絶縁材を封止させる。
請求項（抜粋）：
それぞれ外部接続用端子の構成材料となる複数の第1球状導電体を基板上の所定位置に配置後、該第1球状導電体の先端形状と適合する複数の凹部を有する金型を被せて前記各第1球状導電体の先端を被覆し、この状態で前記基板と前記金型との間に絶縁材を封止させる工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Fターム (6件)：
5F061AA02
, 5F061BA03
, 5F061CA21
, 5F061CB13
, 5F061DA01
, 5F061DA06
