特許

J-GLOBAL ID：200903083336701242

組成物、薄膜の作製方法、及び発光素子の作製方法

発明者： 鈴木 恒徳 ,  川上 祥子 ,  瀬尾 哲史 ,  下垣 智子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-129175
公開番号（公開出願番号）：特開2008-308685
出願日： 2008年05月16日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】アントラセン誘導体が溶解した組成物、及びその組成物を用いて湿式法により膜質の良好な薄膜を作製する技術を提供することを目的とする。また、その組成物を用いて、信頼性の高い発光素子を、低コストで生産性よく作製することを目的とする。【解決手段】一般式(1)で表されるアントラセン誘導体、及び溶媒を有する組成物を提供する。この組成物を用いて湿式法で良質な膜質の薄膜を形成することができる。従ってそのような薄膜を用いて信頼性の高い発光素子を作製することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表されるアントラセン誘導体、及び溶媒を有することを特徴とする組成物。

IPC (4件)：

C09K 11/06 ,  C09K 11/00 ,  H01L 51/50 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

C09K11/06 645 ,  C09K11/00 A ,  H05B33/14 B ,  H05B33/22 D ,  H05B33/22 B ,  H01L33/00 A

Fターム (30件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB03 ,  3K107BB06 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107DD53 ,  3K107DD59 ,  3K107DD68 ,  3K107DD69 ,  3K107DD71 ,  3K107DD74 ,  3K107DD78 ,  3K107GG04 ,  3K107GG06 ,  4C204BB05 ,  4C204BB09 ,  4C204CB25 ,  4C204EB01 ,  4C204FB08 ,  4C204GB01 ,  4C204GB32 ,  4H001DA04 ,  4H001DC01 ,  5F041AA43 ,  5F041CA45 ,  5F041CB22 ,  5F041FF06 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• フェニルアントラセン誘導体および有機EL素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-125753   出願人：ティーディーケイ株式会社

審査官引用 (2件)

• アントラセン誘導体、発光素子用材料、発光素子、発光装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-086112   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• モノアミノ化合物およびそれを使用した有機発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-248745   出願人：キヤノン株式会社