特許

J-GLOBAL ID：200903083345288080

半導体デバイスを形成する方法

発明者： スフィ・ザファ-
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-058842
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270655
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 次工程段階の間に変化しないような、より安定した不揮発性分極(PNV)を有するFENVMを、複雑なプロセス段階の使用または風変わりな材料の使用なしに、形成する。【解決手段】 1またはそれ以上の誘電体層(32、52)が、FENVMセルの強誘電体キャパシタ(24)の上に亘って、形成される。強誘電体キャパシタ(24)を被覆する誘電体層(32、52)内の張力は、比較的低く維持される。その張力が比較的低く維持されることによって、FENVMセルの不揮発性分極は、製造工程のバックエンドの工程段階の間も維持される。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスを形成する方法であって:基板(20)の上に亘って強誘電体キャパシタ(24)を形成する段階であって、当該強誘電体キャパシタ(24)はメモリセルの一部であるところの段階;および前記強誘電体キャパシタ(24)形成段階の後に第1誘電体層(52)を形成する段階であって、当該第1誘電体層(52)は2x104dynes/cmを超えない張力を有するところの段階;から構成されることを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 容量素子、半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-169387   出願人：松下電子工業株式会社
• 強誘電体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-064019   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開昭58-073124
  
• 特開平4-212423