特許
J-GLOBAL ID：200903083349907958

半導体発光装置及び製造方法

発明者：
原田 光範

原田 光範 について

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上野 一彦

上野 一彦 について

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戎谷 崇

戎谷 崇 について

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青山 雅生

青山 雅生 について

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立花 佳織

立花 佳織 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (1件)： 秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-082736
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268708
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】本発明は、色ムラ及び輝度バラツキが少なく、人間に対して有害となる可能性のある光を極力放出しない光源となるような半導体発光装置及び製造方法を提供する。【解決手段】第一の反射面2が形成された傾斜面を有する第一のキャビティ3と略垂直な側面を有する第二のキャビティ5が設けられたケース1の上方に、第三の反射面17が形成された傾斜面を有する反射枠16が設けられている。そして、底面に半導体発光素子6が搭載された第一のキャビティ3に光透過性樹脂からなる第一の樹脂7を充填して硬化し、更に第二のキャビティ5に光透過性樹脂に蛍光体9が分散された第二の樹脂10のを充填して反転させた状態で硬化させて第二の樹脂10の表面付近に高密度の蛍光体層12を形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基材に、上方に向かって開いた内周面を反射面とする第一のキャビティと該第一のキャビティの上方に設けられた少なくとも一つのキャビティとが形成されて前記第一のキャビティの底面に少なくとも一つの半導体発光素子が搭載され、前記第一のキャビティに第一の樹脂を充填することによって該第一のキャビティの底面に搭載された半導体発光素子の全体を封止し、前記第一のキャビティの上方に設けられたキャビティに第二の樹脂を充填したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (8件)：
5F041AA05 ,  5F041AA41 ,  5F041DA12 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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