特許

J-GLOBAL ID：200903083357572922

半導体装置の製造方法

発明者： 中嶋 一明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-325024
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134456
出願日： 2005年11月09日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：

【課題】メタルゲート電極をメタルの凝集なく仕事関数変調により形成する。【解決手段】本発明の例に関わる半導体装置の製造方法は、半導体基板100上にゲート絶縁層102を形成する工程と、ゲート絶縁層102上に第1メタル層103を形成する工程と、第1メタル層103上に第2メタル層104を形成する工程と、第2メタル層104上に第2メタル層104よりも高い融点を持つ材料からなるキャップ層105を形成する工程と、熱処理により第2メタル層104内の元素をゲート絶縁層102と第1メタル層103との界面に析出させて析出層107を形成する工程とを備える。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上に第1メタル層を形成する工程と、前記第1メタル層上に仕事関数変調に使用する元素を含む第2メタル層を形成する工程と、前記第2メタル層上に前記第2メタル層よりも高い融点を持つ材料からなるキャップ層を形成する工程と、熱処理により前記元素を前記ゲート絶縁層と前記第1メタル層との界面に析出させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L27/08 321D ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R

Fターム (56件)：

4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB33 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD16 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB15 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124405   出願人：株式会社東芝