半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015914
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204218
出願日： 1993年01月05日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】半導体特性の良好な微細配線の形成を可能とする。【構成】半導体基板の絶縁膜に溝を形成し、この溝に金属を埋め込むことにより埋め込み配線を形成する。この際、配線形成予定領域以外の絶縁膜上に余剰金属が残ることがあるがこれをエッチングにより除去するかまたは、あらかじめ形成したダミー溝に埋め込む。

請求項（抜粋）：

絶縁膜の配線予定領域に溝を形成する工程と、この溝内に金属を流動化させて堆積させ、金属配線層を形成する工程と、前記溝内以外の絶縁膜上に堆積された余分な金属を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/88 K , H01L 21/88 S

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-288438
特表平4-507326
特開昭62-296444

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