特許

J-GLOBAL ID：200903083377221735

InSb系結晶膜の形成方法、およびInSb系半導体素子およびその製造方法

発明者： 和島 峰生 ,  田中 丈士
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-004454
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204855
出願日： 1998年01月13日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 GaAsのようなIII-V族化合物の半導体基板の上にInSb系の結晶膜を成長させる方法において、InSb系結晶膜に対し所定のシート抵抗と高い移動度とを同時に付加することのできるInSb結晶膜の形成方法と、これを活用した高性能なInSb系半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 GaAsの半導体基板1の上にInSb結晶膜2を成長させ、このInSb結晶膜2を接着剤3によってフェライト基板4に接着した後、GaAsの半導体基板1をエッチングによって除去する。

請求項（抜粋）：

Sbを含まないIII-V族化合物の半導体基板の上にInSbを含むIII-V族化合物の半導体結晶膜を成長させ、この半導体結晶膜の前記半導体基板の反対側の面に他の基板を接着し、前記半導体基板を除去することを特徴とするInSb系結晶膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 43/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 43/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/306 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特表平4-501331
  
• 特開平2-111084
  
• ホール素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-149124   出願人：旭化成電子株式会社