特許
J-GLOBAL ID：200903083382309225
シリコンウエーハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308612
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144697
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 ボロンを含むシリコンウエーハの表層のボロン濃度を制御するための方法、及び表層部にボロン濃度低減層を形成したシリコンウエーハを提供する。【解決手段】 ボロン濃度が1×1015〜1×1020cm-3のボロン含有シリコンウエーハを用い、水素分圧1mmH2 O〜30atomの雰囲気中、800°C〜1300°Cで、1分間以上アニール処理することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
請求項（抜粋）：
ボロン濃度が1×1015〜1×1020cm-3のボロン含有シリコンウエーハを用い、水素分圧1mmH2 O〜30atomの雰囲気中、800°C〜1300°Cで、1分間以上アニール処理することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/324 X
, C30B 33/02
