特許

J-GLOBAL ID：200903083383485167

半導体発光素子

発明者： 平田 真也 ,  北川 雅彦 ,  友村 好隆 ,  中西 健司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267514
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120611
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体に、低抵抗のオーミック性電極を形成させることにより短波長光を高効率で発光する半導体発光素子を提供すること。【構成】 II-VI族化合物半導体の発光領域を形成するp側化合物半導体13のp側電極16とp型化合物半導体13の間に異種のII-VI族化合物半導体からなる井戸層とトンネル障壁層を交互に積み重ねた超格子導電層14を設けた。

請求項（抜粋）：

p及びn型II-VI族化合物半導体で構成された発光素子部を備え、かつ、この発光素子部の少くともp型II-VI族化合物半導体とp側金属電極との間に、相い異なるp型II-VI族化合物半導体材料で構成されしかも前記p型II-VI族化合物半導体より低抵抗で、かつその価電子帯上部エネルギーが電子エネルギーで前記II-VI族化合物半導体の価電子帯上部エネルギーよりも高い材料からなる井戸層と、価電子帯上部エネルギーが前記p型II-VI族化合物半導体の価電子帯上部エネルギーよりも高くない材料からなるトンネル障壁層とを交互に層状に積み重ねた超格子導電層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-265574   出願人：国際電信電話株式会社