特許
J-GLOBAL ID:200903083385567276

電極の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 土井 育郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-287778
公開番号(公開出願番号):特開平10-144208
出願日: 1996年10月30日
公開日(公表日): 1998年05月29日
要約:
【要約】【課題】 煩雑でない工程で作製することができ、且つ焼成工程でAgがガラス基板中に拡散しないようにする。【解決手段】 ガラス基板1の少なくとも電極を形成する面を研磨する第1工程と、Agを含有する導体材料で電極31を形成する第2工程とを含む手順で電極を作製する。さらには、ガラス基板1とAgを含有する導体材料で形成した電極31との間に、インジウム酸化物或いはスズ酸化物を主成分とする透明導電性膜4を形成する。第1工程でガラス基板1の表面を研磨することにより、本材料の焼成時に発生するガラス中のコロイド形成が抑制されガラス基板1の変色がなくなり、さらに電極間の絶縁性が向上する。
請求項(抜粋):
ガラス基板の少なくとも電極を形成する面を研磨する第1工程と、Agを含有する導体材料で電極を形成する第2工程とを含むことを特徴とする電極の形成方法。
IPC (2件):
H01J 9/02 ,  G02F 1/1343
FI (3件):
H01J 9/02 F ,  H01J 9/02 B ,  G02F 1/1343
引用特許:
審査官引用 (4件)
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