特許

J-GLOBAL ID：200903083391514745

パワー半導体素子の給電及び放熱装置

発明者： 春日 信幸
出願人/特許権者： 株式会社東京アールアンドデー
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157078
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349233
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】回路基板に装着されたパワー半導体素子の給電構造を簡易化し、同時に放熱作用も備えたパワー半導体素子の給電及び放熱装置を得ること。【解決手段】複数のパワー半導体素子(1)を用いた電気回路において、パワー半導体素子は、その素子中の電極が当該半導体のパッケージの内部で電気的に接続された放熱用金属板(5)を備え、前記複数のパワー半導体素子のうち、放熱用金属板に接続されている電極の電位が同電位となるものの当該放熱用金属板を、導電性のある一つの放熱体(6)に導通させて固着して、放熱体(6)を一つの接続端子として用いる。前記放熱体を複数、導電性のある一つの放熱板(7)に導通させて固着するとともに、前記放熱板を一つの接続端子として用いる。また、前記放熱板を他の放熱器(11)に電気的に絶縁して固着した。

請求項（抜粋）：

複数のパワー半導体素子を用いた電気回路において、前記パワー半導体素子は、その素子中の電極が当該半導体のパッケージの内部で電気的に接続された放熱用金属板を備え、前記複数のパワー半導体素子のうち、前記放熱用金属板に接続されている電極の電位が同電位となるものの当該放熱用金属板を、導電性のある一つの放熱体に電気的に接続させて固着し、更に前記放熱体を一つの接続端子として用いることを特徴とするパワー半導体素子の給電及び放熱装置。

IPC (3件)：

H01L 25/11 ,  H01L 23/34 ,  H05K 7/20

FI (3件)：

H01L 25/10 B ,  H01L 23/34 A ,  H05K 7/20 E

Fターム (10件)：

5E322AA01 ,  5E322AA02 ,  5E322AA03 ,  5E322AB01 ,  5E322AB07 ,  5E322AB08 ,  5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BC23 ,  5F036BD01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-009953
  
• 特開平2-257660
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-020907   出願人：三菱電機株式会社