特許

J-GLOBAL ID：200903083404197264

電子部品、その製造方法、電子部品の実装体および実装方法

発明者： 西山 東作 ,  十河 寛 ,  竹沢 弘輝 ,  北江 孝史 ,  石丸 幸宏 ,  三谷 力 ,  小林 伸二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-278208
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086626
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 接着強度および信頼性が優れた狭ピッチの電子部品の実装体を従来のインフラで安価に提供する。【解決手段】 半導体ベアチップ1に絶縁樹脂に用いた再配線層2を有するウェハーレベルパッケージの電極上に導電性バンプ6が形成されるとともに、その導電性バンプ6の周囲に、樹脂層としての溶融接着層7を形成して電子部品を構成し、電子部品とマザーボート3との熱膨張係数の相違に起因する歪応力を、溶融硬化した溶融接着層7で緩和して接続信頼性に優れた狭ピッチの実装体を得るようにしている。しかも、実装時の加熱時には、溶融硬化している溶融接着層7によって、溶融した導電性バンプ6が隣接する電極に流れるのを阻止している。

請求項（抜粋）：

電極上に加熱することにより溶融あるいは軟化する導電性バンプが設けられた電子部品であって、前記導電性バンプの周囲には、熱硬化性樹脂からなる未硬化の樹脂層が形成されることを特徴とする電子部品。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 501

FI (3件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/12 501 P

Fターム (7件)：

5F044LL01 ,  5F044RR17 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA26 ,  5F061CB12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-354530   出願人：日東電工株式会社
• 半導体装置とその製造方法及びこの半導体装置を用いた実装構造体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-041425   出願人：株式会社東芝
• 電子部品の接続構造及び接続方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-188474   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-205975   出願人：三菱電機株式会社