特許

J-GLOBAL ID：200903083407239014

量子ドットを備えたメモリ素子及びその製造方法

発明者： 崔 原 鳳 ,  蔡 洙 杜
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-030522
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243615
出願日： 2003年02月07日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 量子ドットを備えたメモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板11と、基板11に形成され、互いに所定間隔で離隔されて配置されたソース領域13及びドレイン領域15と、基板11上に形成されて前記ソース領域13及びドレイン領域15とを接続させ、電子を貯蔵する物質で充填されたナノサイズの複数の量子ドット27を含むメモリセル22と、メモリセル22上に形成され、メモリセル22に貯蔵される電子の数を制御する制御ゲート17とを備えたメモリ素子として構成する。これにより、高効率且つ高集積度のメモリ素子を具現することができる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板に形成され、互いに所定間隔で離隔されて配置されたソース領域及びドレイン領域と、前記基板上に形成され、前記ソース領域及びドレイン領域を接続させ、電子を貯蔵する電子貯蔵材料で充填されたナノサイズの複数の量子ドットを含むメモリセルと、前記メモリセル上に形成され、前記メモリセルに貯蔵される電子の数を制御する制御ゲート膜と、を備えることを特徴とするメモリ素子。

IPC (7件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 601 D ,  H01L 29/66 S ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (25件)：

5F083AD69 ,  5F083EP22 ,  5F083EP44 ,  5F083ER03 ,  5F083FZ01 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083GA28 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083PR00 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR36 ,  5F101BA00 ,  5F101BA41 ,  5F101BB02 ,  5F101BC01 ,  5F101BD14 ,  5F101BE03 ,  5F101BE07 ,  5F101BH13

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-337427   出願人：株式会社東芝
• メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-313309   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-337427   出願人：株式会社東芝
• メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-313309   出願人：株式会社日立製作所