特許

J-GLOBAL ID：200903083410099614

積層薄膜

発明者： 野口 隆男 ,  矢野 義彦
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-134634
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312801
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 結晶性の良好な単一配向金属薄膜を含む積層薄膜を提供する。【解決手段】 立方晶(100)単一配向のエピタキシャル膜である金属薄膜と、この金属薄膜と接する界面に{111}ファセット面が存在するバッファ層とを有する積層薄膜。前記バッファ層は、希土類元素酸化物、酸化ジルコニウム、またはZrの一部を希土類元素もしくはアルカリ土類元素で置換した酸化ジルコニウムを含有する。

請求項（抜粋）：

立方晶(100)単一配向のエピタキシャル膜である金属薄膜と、この金属薄膜と接する界面に{111}ファセット面が存在するバッファ層とを有する積層薄膜。

IPC (9件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (7件)：

H01L 29/46 Z ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 39/02 ZAA B ,  H01L 39/24 ZAA B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 積層薄膜、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび積層薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-217884   出願人：ティーディーケイ株式会社