特許
J-GLOBAL ID：200903061328828949
積層薄膜、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび積層薄膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-217884
公開番号（公開出願番号）：特開平9-110592
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：
【要約】【課題】 c面単一配向の単純ペロブスカイト型またはタングステンブロンズ型の材料から構成されるc面単一配向薄膜を有する積層薄膜、この積層薄膜を備えた電子デバイス用基板、電子デバイスおよび前記積層薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体単結晶基板上に酸化物薄膜が形成されており、この酸化物薄膜は酸化ジルコニウムまたは希土類金属元素(ScおよびYを含む)により安定化された酸化ジルコニウムを主成分としたエピタキシャル薄膜を少なくとも1層含み、この酸化物薄膜上にペロブスカイト型またはタングステンブロンズ型の誘電体材料で形成され、基板表面と平行にc面単一配向した配向薄膜を備える積層薄膜。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶基板上に酸化物薄膜が形成されており、この酸化物薄膜は酸化ジルコニウムまたは希土類金属元素(ScおよびYを含む)により安定化された酸化ジルコニウムを主成分としたエピタキシャル薄膜を少なくとも1層含み、この酸化物薄膜上にペロブスカイト型またはタングステンブロンズ型の誘電体材料で形成され、基板表面と平行にc面単一配向した配向薄膜を備える積層薄膜。
IPC (9件)：
C30B 29/06 504
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C30B 29/22 501
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 39/02 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
, H01L 21/316
C30B 29/06 504 A
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00 ZAA
, C30B 29/22 501 Z
, H01L 39/02 ZAA W
, H01L 39/24 ZAA W
, H01L 21/316 M
, H01L 27/10 651
