半導体装置とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：和泉良彦 , 小林茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-065958
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259796
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】従来と同等の駆動力を確保しつつ、ヘテロ界面で生じる漏れ電流を容易に低減することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】第一導電型のドレイン領域2と、ドレイン領域2の一主面に接して前記ドレイン領域2とはバンドギャップが異なった第一のヘテロ半導体領域(ソース領域3)および第二のヘテロ半導体領域(ソース領域4)と、第一のヘテロ半導体領域3とドレイン領域2との接合部にゲート絶縁膜5を介して形成されたゲート電極6と、第一のヘテロ半導体領域3および第二のヘテロ半導体領域4と接続されたソース電極7と、ドレイン領域2とオーミック接続されたドレイン電極8とを有し、かつ、少なくとも第二のヘテロ半導体領域4が第一のヘテロ半導体領域3とは反対導電型であることを特徴とする半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基体と、前記半導体基体の一主面に接して前記半導体基体とはバンドギャップが異なった第一のヘテロ半導体領域および第二のヘテロ半導体領域と、前記第一のヘテロ半導体領域と前記半導体基体との接合部にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第一のヘテロ半導体領域および前記第二のヘテロ半導体領域と接続されたソース電極と、前記半導体基体とオーミック接続されたドレイン電極とを有し、かつ、少なくとも前記第二のヘテロ半導体領域が前記第一のヘテロ半導体領域とは反対導電型であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (10件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652B , H01L29/78 652J , H01L29/78 653A , H01L29/78 654C , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L29/78 658B , H01L29/78 301B , H01L29/78 301V

Fターム (26件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104FF01 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 5F140AA24 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BB04 , 5F140BB18 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BG31 , 5F140BG37 , 5F140BH27 , 5F140BH28 , 5F140BH30 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15

引用特許：

出願人引用 (1件)

炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-125412 出願人：日産自動車株式会社

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