特許
J-GLOBAL ID：200903083422742920
接続孔を有する半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045415
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241924
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 スループット低下や重なり部分の余裕欠落の問題などをもたらさずに下層配線との接続をとる接続孔の形成技術を改良し、該接続孔の形成によっても悪影響の生じない、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 ?@下層配線5との接続をとる接続孔8を有する半導体装置において、下層配線の上部外縁(周囲もしくは外周外縁)には該下層配線と同じ高さ位置のストッパー膜4が形成されている。?A下層配線を形成する(埋め込む)絶縁膜3上にストッパー材料膜を形成し、該ストッパー材料膜及び絶縁膜を加工して下層配線パターン51を形成し、該下層配線パターンに導電材料を形成して下層配線5とし、その後上層絶縁膜7を形成し、該上層絶縁膜を加工して、下層配線と重なり合う部分を有する接続孔6を形成するとともに、ストッパー材料膜はこのときの加工の下方への影響を遮断する役割を果たさせる。
請求項（抜粋）：
下層配線との接続をとる接続孔を有する半導体装置において、下層配線の上部外縁には該下層配線と同じ高さ位置のストッパー膜が形成されていることを特徴とする接続孔を有する半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/90 B
, H01L 21/90 P
