特許

J-GLOBAL ID：200903083423680537

極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法

発明者： 松尾 正 ,  原口 崇 ,  伊井 稔博
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-050793
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260056
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】基板1上に、露光光を反射する領域となる多層膜2を有し、前記多層膜2上に吸収用となるパターニングされた薄膜3、さらに前記多層膜2と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜4を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、剥離しなくとも多層膜2部の実質的な反射性能への影響がなく、さらに本来の機能としての多層膜2の保護機能も有するように緩衝膜4の構造、材料が規定されたEUV露光用マスク、およびそれを作製するためのブランク並びにそのマスクを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】前記緩衝用薄膜4は前記多層膜2上の全面に備えられていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、露光光を反射する領域となる多層膜を有し、前記多層膜上に吸収用となるパターニングされた薄膜、さらに前記多層膜と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、前記緩衝用薄膜は前記多層膜上の全面に備えられていることを特徴とする極限紫外線露光用マスク。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F1/16

FI (2件)：

H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A

Fターム (6件)：

2H095BA10 ,  2H095BC11 ,  2H095BC20 ,  5F046GD07 ,  5F046GD10 ,  5F046GD16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 反射型フォトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-314292   出願人：三星電子株式会社, 株式会社日立製作所, 富士通株式会社
• キャッピング層を有する反射フォトマスクおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-100628   出願人：三星電子株式会社
• レジストパターン形成方法及びそのレジストパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-333324   出願人：株式会社東芝