特許

J-GLOBAL ID：200903083443694186

半導体ウェーハの両面研磨装置

発明者： 黒田 幸夫
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184733
公開番号（公開出願番号）：特開2000-015566
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：

【要約】【課題】 研磨中、外ギヤの歯のエッジ部分で、上下定盤の研磨布を傷めにくい半導体ウェーハの両面研磨装置を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハWの表裏面の研磨時には、研磨液の供給を行いながら、キャリアプレート15を上下定盤11,12間で自転,公転させることで研磨する。この際、上下定盤11,12に展張された研磨布16,17が比較的厚い弾性体であるために、キャリアプレート15の外ギヤ15bの各歯15cのエッジ部分が研磨布16,17の布表面に摺接される。しかしながら、各歯15cのエッジ部分は、予め面取りされて丸くなっているので、研磨布16,17の研磨面を傷つけるおそれが少ない。

請求項（抜粋）：

互いに平行に設けられて、各対向面に研磨布が展張された上定盤および下定盤と、これらの上定盤と下定盤との間に介在されて、軸回りに回転自在に設けられた太陽ギヤと、この太陽ギヤの軸線と同じ軸線を中心に回転自在に設けられたインターナルギヤと、半導体ウェーハを保持するウェーハ保持孔を有し、かつ外縁部に、上記太陽ギヤおよびインターナルギヤに噛合される外ギヤが形成された円板状のキャリアプレートとを備えた半導体ウェーハの両面研磨装置において、上記キャリアプレートの外ギヤの各歯のエッジ部分に、丸みを与える面取り加工を施した半導体ウェーハの両面研磨装置。

IPC (3件)：

B24B 37/04 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

B24B 37/04 C ,  H01L 21/304 621 A ,  H01L 21/304 622 G

Fターム (12件)：

3C058AA07 ,  3C058AA11 ,  3C058AA16 ,  3C058AB01 ,  3C058AB04 ,  3C058AB06 ,  3C058AB08 ,  3C058AB09 ,  3C058AC04 ,  3C058CB06 ,  3C058DA02 ,  3C058DA18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ラッピング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-051116   出願人：川島弘至, 山本武士