特許

J-GLOBAL ID：200903083447720203

半導体装置及びその製造方法

発明者： 吉川 浩一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364147
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185628
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】ポリシリコンを上下電極とする容量素子を用いたアナログ系のMOS半導体装置は、容量素子の下部電極とトランジスタのゲート電極の形成を同時に行う場合、容量素子の下部ポリシリコン電極のリン濃度が高濃度化されていないためにバイアス依存性が悪いという問題が存在した。【解決手段】上下電極にポリシリコンを用いる容量素子の上部電極用ポリシリコン24および下部電極用ポリシリコン10を高濃度化して容量素子のバイアス依存性を向上させることができる。ポリシリコンにイオン注入を行わない場合はバイアス依存性が0.3〜0.5%/Vであるのに対して、イオン注入を行うことによってバイアス依存性を0.01〜0.03%/Vに向上することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に設けられた分離用絶縁膜及びゲート絶縁膜と、前記分離用絶縁膜上に設けられた下部電極用ポリシリコン、前記下部電極用ポリシリコン上に順次設けられた容量絶縁膜、上部電極とからなる容量素子と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極用ポリシリコンとを備える半導体装置であって、前記下部電極用ポリシリコン及び前記ゲート電極用ポリシリコンは、同じ膜厚の第1ポリシリコンからなり、前記下部電極用ポリシリコンは前記ゲート電極用ポリシリコンを構成する前記第1ポリシリコンに選択的に前記ゲート電極用ポリシリコンと同じ導電型の不純物を高濃度に導入することにより得られることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/04 C

Fターム (13件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AV06 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F048BG12 ,  5F048DA09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-192357
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-209334   出願人：ヤマハ株式会社
• 特開昭58-192357