特許
J-GLOBAL ID：200903010070129117
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209334
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054700
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 支持基板上に、電圧依存性の少ない容量素子を形成する技術を提供する。【解決手段】 表面の一部に絶縁性領域が画定された基板の絶縁性領域の一部の領域上に下部電極が配置されている。下部電極は、半導体材料により形成され、不純物濃度の相互に異なる低濃度領域と高濃度領域とを含む。下部電極の上に、誘電体材料からなる誘電体層が形成されている。誘電体層の上に、下部電極の低濃度領域及び高濃度領域の双方に対向するように上部電極が形成されている。上部電極の不純物濃度は、下部電極の低濃度領域の不純物濃度と高濃度領域の不純物濃度との中間の値である。下部電極、誘電体層及び上部電極が容量素子を構成する。
請求項（抜粋）：
表面の一部に絶縁性領域が画定された基板と、前記基板表面の絶縁性領域の一部の領域上に配置され、半導体材料により形成され、不純物濃度の相互に異なる低濃度領域と高濃度領域とを含む下部電極と、前記下部電極の上に形成された誘電体材料からなる誘電体層と、前記誘電体層の上に形成され、前記下部電極の低濃度領域の不純物濃度と高濃度領域の不純物濃度との中間の不純物濃度とされ、前記下部電極の低濃度領域及び高濃度領域に対向し、前記下部電極及び誘電体層と共に容量素子を構成する上部電極とを有する半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
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容量素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-243063
出願人：松下電子工業株式会社
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-025901
出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (2件)
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容量素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-243063
出願人：松下電子工業株式会社
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-025901
出願人：ソニー株式会社
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