特許

J-GLOBAL ID：200903083453376263

半導体デバイスの製造方法

発明者： キ・ソン・イ ,  ビョン・ハク・イ
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348302
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238736
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 結晶粒の大きさを大きくして電気抵抗の低い薄膜を形成するようにした半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に絶縁膜を堆積させ、その上にシリコン層を堆積させ、その上にさらに非晶質金属窒化膜を堆積させた後、非晶質金属窒化膜を熱処理して結晶化させ、非晶質金属窒化膜を純粋な金属膜に変形させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を形成する段階と、絶縁膜上にシリコン層を形成する段階と、シリコン層上に非晶質金属窒化膜を形成する段階と、非晶質金属窒化膜を熱処理して、窒素を含まない結晶化した純粋の金属膜に変形させる段階とを備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 導体およびゲート電極構造の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-137702   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション